دانلود فایل سرت Cert سامسونگ I9301I جهت ترمیم شبکه و سریال

موضوع :

دانلود فایل سرت Cert سامسونگ I9301I جهت ترمیم شبکه و سریال

تعدا فایل سرت موجود در این بسته :5

تست شده و سالم 

میتوانید فایل سرت این مدل گوشی را از طریق لینک مستقیم دانلود نمایید

آبجکت وسایل حمام

این محصول طبق تصویر فوق شامل یک فایل تری دی مکس می باشد 

دانلود پاورپوینت تاثیر فناوری اطلاعات بر بهداشت و درمان

فهرست مطالب

مقدمه:

تاریخچه فناوری اطلاعات در پزشکی:

   Telemedicine  پزشکی از راه دور

کاربرد اصلی پزشکی از راه دور

انواع پزشکی از راه دور:

اولین جراحی از راه دورفرااقیانوسی در جهان

روش رباتیک:

مزایا و معایب روش رباتیک:

اولین بیمارستان مجازی در جهان:

سیستم های ویدئو کنفرانس:

کارت های هوشمند:

نتیجه گیری:

منابع:

تعداد اسلاید:18

با قابلیت ویرایش

مناسب جهت ارائه سمینار و گزارش

گزارش کارآموزی ترانسفورماتور قدرت گازی GIS شرکت برق منطقه ای خراسان

دانلود گزارش کارآموزی ترانسفورماتور قدرت گازی GIS -ایمنی درانتقال

شرکت برق منطقه ای خراسان

گرایش: بهره برداری

فرمت فایل: ورد

تعداد صفحات:51

خلاصه گزارش:

پستها یکی از قسمتهای مهم شبکه های انتقال و توزیع الکتریکی می باشند زیرا وقتیکه بخواهیم انرژی الکتریکی  را از نقطه ای به نقطه دیگر انتقال دهیم برای اینکه بتوانیم از افت ولتاژ جلوگیری کنیم بایستی بطریقی ولتاژ تولید شده ژنراتور را بالا برده و سپس آنرا انتقال داده تا به مقصد مورد نظر برسیم و در انجا دوباره ولتاژ را پایین آورده تا جهت توزیع آماده شود کلیة این اعمال در پستهای انتقال و توزیع انجام می شود. در یک پست فشار قوی وظیفه اصلی تبدیل ولتاژ می باشد که این وظیفه را مهمترین دستگاه یعنی ترانسفورماتورهای قدرت انجام می دهد، لذا در این جزوه سعی شده است مطالبی جدید دربارة ترانسفورماتور قدرت از نوع گازی GIS که در استان خراسان هم نمی باشد آورده شده و همچنین در مورد ایمنی در انتقال که مهمترین مسئله قبل از شروع به کار می باشد. بحث شده است تا مورد استفاده همکاران علاقه مند قرار گیرد.

مقدمه :

در سالهای اخیر افزایش روز افزون مصرف انرژی الکتریکی ، گسترش شبکه های توزیع و فوق توزیع را در شهرها و مناطق صنعتی اجتناب ناپذیر نموده است با توجه به اینکه کمبود فضا و لزوم همسازی با محیط از یک طرف و جلوگیری از آثار آلودگی های مختلف از طرف دیگر پستهای گازی روز به روز کاربرد پیشتری می یابند ولی با این وجود به علت مسائل فنی موجود تاکنون ترانسفورماتورهای این پستها از نوع روغنی بوده و به منظور کنترل دامنة آتش سوزی احتمالی و مسائل مربوط به سیستم خنک کنندگی عمدتا در فضای باز نصب می شوند ولی اخیرا گاز sf6 نیز در طراحی و ساخت ترانسفورماتورهای با قدرت بالا مورد توجه قرار گرفته است و نسل جدیدی از ترانسفورماتورها را با عنوان ترانسفورماتورهای گازی مطرح نموده که در این جزوه مورد بررسی قرار می گیرد.

ویژگیها و موارد قابل توجه ترانسفورماتورهای گازی :

الف- از آنجا که گاز sf6در این ترانسفورماتورها جانشین روغن شده ، غیر قابل احتراق و انفجار بوده لذا در صورت بروز عیبهای متداول در ترانسفورماتور احتمال بروز آتش سوزی وجود ندارد لذا این ترانسفورماتورها برای کاربرد در فضاهای سر پوشیده بسیار مناسب می باشند و در هر صورت برای این ترانسفورماتورها ضرورت تعبیه سیستمهای اتوماتیک اطفاء حریق که بسیار گران و هزینه بردار می باشند وجود ندارد.

ب- با توجه به پایداری شیمیایی کامل گاز sf6     و عدم تاثیر شرایط محیطی بر روی عایق ترانسفورماتور در اثر ایزوله بودن کامل نسبت ب هوای محیط (نداشتن کنسرواتور) و پایداری حرارتی بالای این گاز امکان بروز عیب در این ترانسفورماتور به حداقل ممکن کاهش یافته و از آنجا این ترانسفورماتورها معمولا در پستهای با سوئیچگیرهای گازی مورد استفاده قرار می گیرند و ارتباط ترانسفورماتور با سوئیچگیرهای مربوطه از طریزق لوله های گازی ( GIB ) انجام می گیرد لذا امکان ایجاد اتصال کوتاه نیز در نزدیکی ترانسفورماتور به حداقل می رسد و لذا در مجموع قابلیت اطمینان سیستم به حداکثر می رسد.

ج- از انجاییکه  این ترانسفورماتور به صورت کامل آب بندی بوده و قسمت اکتیو در داخل محفظه فلزی قرار دارد و حداقل دریچه برای بازدید و یا تعمیر در طرح ان در نظر گرفته می شود و با هوای محیط هیچ گونه ارتباطی ندارد لذا برای مناطق با آلودگی و رطوبت بالا مناسب می باشند.

د- انتقال صدا در گاز SF6کمتر از روغن و یا هوا بوده و لذا مقدار صدای ترانسفورماتورهای گازی نسبت به روغنی کمتر می باشد.

ه-گازSF6 به خاطر الکترونگاتیو بودن (جذب الکترونهای آزاد) از خاصیت عایقی خوبی برخوردار می باشد و به خاطر ویژگی خاص این گاز در مقابل اضافه ولتاژهای سوئیچینگ یا صاعقه طراحی ترانسفورماتور از نظر عایقی با اطمینان بالاتری صورت می گیرد.

و- مشخصات الکتریکی ترانسفورماتورهای گازی نظیر جریان بی باری و تلفات با نوع روغنی یکسان بوده ولی مقدار امپدانس این ترانسفورماتورها نسبت به نوع گازی کمی بیشتر از نوع روغنی به خاطر فواصل بیشتر بین سیم پیچها می باشد البته این پارامتر به سهولت قابل کنترل می باشد.

ز- با توجه به اینکه این ترانسفورماتور ها به صورت کاملا آب بندی شده حمل می شوند. لذا عملیات نصب و راه اندازی به علت عدم نیاز به پروسس خشک کردن و روغن زدن بسیار راحت تر بوده و در مقایسه با نوع روغنی به زمان کمتری نیاز می باشد. تعمیرات و بازدیدهای دوره ای در حین بره برداری نیز خیلی بندرت ضرورت پیدا می کند اما در صورت نیاز به بازدید داخلی از ترانسفورماتور بایستی توجه داشت که اگر چه گاز SF6سمی نمی باشد ولی چون وزن مخصوص آن بیشتر از هواست، در داخل تانک باقی مانده و ضروری است که قبل از وارد شدن به داخل تانک مقدار اکسیژن کنترل شده و در صورت لزوم اکسیژن نیز تزریق گردد.

ح- هدایت حرارتی گازSF6 اگر چه از هوا بیشتر می باشد ولی در مقایسه با روغن پایین تر بوده و لذا برای انتقال حرارت ناشی از تلفات ترانسفورماتور بایستی دقت لازم در طراحی سیستم خنک کنندگی صورت پذیرد و اصولا سیستمهای خنک کنندگی این نوع ترانسفورماتورها پیچیده تر از ترانسفورماتورهای روغنی می باشد.

ط- در این نوع ترانسفورماتورها امکان نشتی تدریجی گاز در حین بهره برداری وجودا داشته که به سهولت نوع روغنی نیز قابل رویت نمی باشد لذا بایستی طوری طراحی شوند که در صورت افت فشار گاز از نظر عایقی مشکل خاصی بوجود نیامده و ضمنا از انجا که افت فشار گاز به خاطر کاهش دانسیته ان درجه حرارت سیم پیچها را نیز افزایش می دهد لذا بایستی در چنین صورتی بار ترانسفورماتور نیز متناسبا کاهش داده شود که میزان ان بستگی به طرح سیستم خنک کننده دارد.

نمودارهای (1-9-2 )یک نمونه از تغییریات درجه حرارت سیم پیچی ترانسفورماتورها را نسبت به تغییر فشار گاز و بار ترانسفورماتور در دو حالت سیستم خنک کنندگی طبیعی و اجباری نشان می دهد.

ساختارهای دورآلاییده

فرمت فایل : word(قابل ویرایش)تعداد صفحات130

فصل اول : ساختارهای دورآلاییده 1
مقدمه 2
1-1 نیمه رسانا 3
1-2 نیمه رسانا با گذار مستقیم و غیر مستقیم 4
1-3 جرم موثر 4
1-4 نیمه رسانای ذاتی 6
1-5 نیمه رسانای غیر ذاتی و آلایش 7
1-6 نیمه رساناهای Si و Ge 10
1-7 رشد بلور 13
1-7-1 رشد حجمی بلور 15
1-7-2 رشد رونشستی مواد 15
1-7-3 رونشستی فاز مایع 16
1-7-4 رونشستی فاز بخار 18
1-7-5 رونشستی پرتو مولکولی 19
1-8 ساختارهای ناهمگون 20
1-9 توزیع حالت‌های انرژی الکترون‌ها در چاه کوانتومی 21
1-10 انواع آلایش 23
1-10-1 آلایش کپه¬ای 24
1-10-2 آلایش مدوله شده (دورآلاییدگی) 24
1-10-3 گاز الکترونی دوبعدی 25
1-10-4 گاز حفره¬ای دوبعدی 26
1- 11 ویژگی و انواع ساختارهای دور آلاییده 27
1-11-1 انواع ساختارهای دورآلاییده به¬¬لحاظ ترتیب رشد لایه¬ها 27
1-11-2 انواع ساختار دور آلاییده به لحاظ نوع آلاییدگی ( n یا p ) 28
1-11-3 انواع ساختار دور آلاییده دریچه¬دار 29
1-12 کاربرد ساختارهای دور آلاییده 33
1-12-1 JFET 33
1-12-2 MESFET 34
1-12-3 MESFET پیوندگاه ناهمگون 35
فصل دوم : اتصال فلز نیمه رسانا (سد شاتکی) 38
مقدمه 39
2-1 شرط ایده آل و حالتهای سطحی 41
2-2 لایه تهی 44
2-3 اثر شاتکی 47
2-4 مشخصه ارتفاع سد 51
2-4-1 تعریف عمومی و کلی از ارتفاع سد 51
2-4-2 اندازه گیری ارتفاع سد 57
2-4-3 اندازه گیری جریان – ولتاژ 57
2-4-4 اندازه گیری انرژی فعال سازی 60
2-4-5 اندازه گیری ولتاژ- ظرفیت 60
2-4-6 تنظیم ارتفاع سد 62
2-4-7 کاهش سد 62
2-4-8 افزایش سد 63
2-5 اتصالات یکسوساز . 64
2-6 سدهای شاتکی نمونه 64
فصل سوم : انتقال بار در ساختارهای دورآلاییده 66
مقدمه 67
3-1 ساختار دور آلاییده معکوس p-Si/Si1-XGeX/Si . 68
3-2 ساختار نوار ظرفیت ساختار دور آلاییده معکوسp-Si/SiGe/Si 69
3-3 محاسبه انتقال بار در ساختارهای دور آلاییده. 71
3-3-1 آلایش مدوله شده ایده¬آل 71
3-3-2 محاسبات خود سازگار چگالی سطحی حاملها 74
3-3-3 اثر بارهای سطحی بر چگالی گاز حفره¬ای 74
3-4 روشهای کنترل چگالی سطحی حاملها 76
3-4-1 تاثیر تابش نور بر چگالی سطحی حاملها 77
3-4-2 تاثیر ضخامت لایه پوششی بر چگالی سطحی حاملها 78
3-4-3 دریچه دار کردن ساختار دور آلاییده 79
3-5 ساختارهای دورآلاییده معکوس p-Si/SiGe/Si با دریچه بالا 79
3-6 انتقال بار در ساختارهای دورآلاییده معکوس با دریچه بالا 82
3-7 تاثیر بایاسهای مختلف بر روی چگالی سطحی ¬حفره¬ها 83
3-8 ملاحظات تابع موج. 86
3-9 وابستگی Zav به چگالی سطحی حاملها در ساختارهای بی دریچه 87
3-10 وابستگی Zav به چگالی سطحی حاملها در ساختارهای دریچه¬دار 87
فصل چهارم : نتایج محاسبات 89
مقدمه 90
4-1 محاسبات نظری ساختارهای دورآلاییده بی دریچه Si/SiGe/Si 91
4-1-1 محاسبات نظری ns برحسب Ls 91
4-1-2 محاسبات نظری ns برحسب NA 96
4-1-3 محاسبات نظری ns برحسب nc 99
4-1-4 محاسبات نظری کلیه انرژیهای دخیل برحسب Ls 100
4-2 محاسبات نظری ساختارهای دورآلاییده دریچه¬دار Si/SiGe/Si 100
4-2-1 محاسبات نظری ns برحسب vg 100
4-2-2 بررسی نمونه ها با nsur متغیر و تابعی خطی از vg با شیب مثبت 107
4-2-3 بررسی نمونه ها با nsur متغیر و تابعی خطی از vg با شیب منفی 114

چکیده
در ساختارهای Si/SiGe/Si که بوسیله روش رونشانی پرتو مولکولی رشد می¬یابند به دلیل ناپیوستگی نوار ظرفیت یک چاه کوانتومی در نوار ظرفیت و در لایه SiGe شکل می¬گیرد اگر لایه¬های مجاور با ناخالصی¬های نوع p آلاییده شده باشند حفره¬های لایه آلاییده به داخل چاه کوانتومی می¬روند و تشکیل گاز حفره¬ای دوبعدی در میانگاه نزدیک لایه آلاییده می¬دهند اینگونه ساختارها را ساختار دورآلاییده می نامند .به دلیل جدایی فضایی بین حاملهای آزاد دوبعدی و ناخالصی¬های یونیده در ساختارهای دورآلاییده برهمکنش کولنی کاهش یافته و درنتیجه پراکندگی ناشی از ناخالصی¬های یونیده کاهش و به تبع آن تحرک¬پذیری حاملهای آزاد دوبعدی افزایش می¬یابد .چگالی سطحی گاز حفره¬ای دوبعدی به پارامترهای ساختار مثلاً ضخامت لایه جداگر ، چگالی سطحی بارهای لایه پوششی ، ضخامت لایه پوششی ، و غیره وابسته است. علاوه بر این در ساختارهای دورآلاییده دریچه¬دار با تغییر ولتاِژ دریچه چگالی سطحی گاز حفره¬ای قابل کنترل می¬باشد . این ساختارها در ساخت ترانزیستورهای اثر میدانی مورد استفاده قرار می¬گیرند .
در این پایان نامه ابتدا به تشریح ساختار دورآلاییده Si/SiGe/Siمی¬پردازیم و سپس مدلی نظری که بتواند ویژگیهای الکتریکی گاز حفره¬ای دوبعدی درون چاه کوانتومی ساختارp-Si/SiGe/Si و همچنین میزان انتقال بار آزاد به درون چاه و بستگی آن به پارامترهای ساختار را توجیه کند ارائه می دهیم . در ساختار دورآلاییده معکوس p-Si/SiGe/Si دریچه¬دار با دریچه Al/Ti/Si از این مدل نظری استفاده می¬کنیم و با برازش نتایج تجربی تغییرات چگالی سطحی گاز حفره¬ای بر حسب ولتاژ دریچه توانسته¬ایم چگالی سطحی بارهای میانگاه Ti/Si در این ساختارها را در محدوده (m-2) 1015 × 78/1 تا (m-2) 1015 × 63/4 ارزیابی کنیم .