دانلود پروژه در مورد حافظه DRAM

لینک پرداخت و دانلود *پایین مطلب*
فرمت فایل:Word (قابل ویرایش و آماده پرینت)
تعداد صفحه: 20
فهرست مطالب:

مقدمه :

شرح پروژه :

پارامترهای کلیدی Timing در یک DRAM :

طراحی DRAM :

Technology Trends

دیگر تکنولوژیهای حافظه :

DRAM در بازار :

معماری DRAM در PC ها

DRAM های خاص

دلایل استفاده از DRAM

مشخصات و بیوگرافی برخی DRAM ها (از 1K تا 256M )

کاربردهای DRAM

SOI DRAM

تکنولوژی SOI در یک نگاه

فواید SOI برای DRAM

پارامترهای کلیدی در طراحی DRAM

طراحی Memory از SOI

نتایج

نتیجه گیری و آینده :

هدف نهایی :

مقدمه :

همانطوریکه می دانیم امروزه بشر در عصر ارتباطات و تکنولوژی به حافظه برای تجهیزات مختلف نیازمند است . یکی از انواع حافظه ها DRAMیا Dynamic Random memory می باشد که این DRAM ها مصارف مختلفی دارند از جمله در Computing ، infrastueture ، Entertainmentو infocom و جاهای دیگر صنعتی. 

برای ساخت DRAM در تکنولوژیهای مختلفی استفاده شده است که ما در اینجا از ساده ترین DRAM ها شروع می کنیم که از یک ترانزیستور و خازن و AMP استفاده شده است و به ساختار DRAM  های 1k و 4k و 16k و ... می پردازیم . و نهایتاً یکی از تکنولوژیهای جدیدی که در ساخت DRAM ها بکار رفته است را شرح می‌دهیم . این تکنولوژی های ساخت DRAM با استفاده از SO1 (Silicon on islatnr) می باشد .

بنابراین بطورکلی این روژه از 2 قسمت تشکیل شده است . قسمت اول آن مربوط به توضیح راجع به DRAM ها (از جهات مختلف) و مقایسه و کاربرد آنها و ... می باشد و قسمت دوم پروژه مربوط به توضیح راجع به تکنولوژی SO1 و کاربرد آن در DRAM می باشد .

مقاله در مورد حافظه DRAM

لینک پرداخت و دانلود *پایین مطلب*

فرمت فایل:Word (قابل ویرایش و آماده پرینت)

تعداد صفحه20

فهرست مطالب

مقدمه :

همانطوریکه می دانیم امروزه بشر در عصر ارتباطات و تکنولوژی به حافظه برای تجهیزات مختلف نیازمند است . یکی از انواع حافظه ها DRAM یا Dynamic Random memory می باشد که این DRAM ها مصارف مختلفی دارند از جمله در Computing ، infrastueture ، Entertainment و infocom و جاهای دیگر صنعتی. 

برای ساخت DRAM در تکنولوژیهای مختلفی استفاده شده است که ما در اینجا از ساده ترین DRAM ها شروع می کنیم که از یک ترانزیستور و خازن و AMP استفاده شده است و به ساختار DRAM  های 1k و 4k و 16k و ... می پردازیم . و نهایتاً یکی از تکنولوژیهای جدیدی که در ساخت DRAM ها بکار رفته است را شرح می‌دهیم . این تکنولوژی های ساخت DRAM با استفاده از SO1 (Silicon on islatnr) می باشد .

بنابراین بطورکلی این روژه از 2 قسمت تشکیل شده است . قسمت اول آن مربوط به توضیح راجع به DRAM ها (از جهات مختلف) و مقایسه و کاربرد آنها و ... می باشد و قسمت دوم پروژه مربوط به توضیح راجع به تکنولوژی SO1 و کاربرد آن در DRAM می باشد .

شرح پروژه :

قسمت اول , ساختمان و خصوصیات DRAM :

DRAM در واقع مخفف Dynamic Random Access Memory است که حالت ساده آن به شکل زیر است که از یک ترانزیستور ساده و خازن و یک AMP تشکیل شده است .

DRAM ها دارای خصوصیاتی از جمله Read و Write هستند . اساس سلول DRAM از نظر Cross-Section و Layout در شکل زیر مشخص است و عیب این روش area می باشد . علاوه بر این ، 2 خصوصیت عمده از DRAM ها ذکر شده است که عبارتند از :

1-Stacked cell(Expand up) : طبق شکل

2-Trench cell(Expand Down)  : طبق شکل

همانطوریکه گفته شد DRAM می تواند عمل Read و Write را انجام دهد .

برای عمل write باید bitline یا در حالت high باشد یا low و word line باید از موقعیت high باشد .

اما برای عمل Read bitline در وضعیت precharge است تا ولتاژ halfway شود (یعنی حالت high و Low) و باز هم Word Line در وضعیت high است .

در DRAM یک AMP حسی داریم که وضعیت charge را آشکار می کند و این Charge به خازن وابسته است .

توجه به این نکته ضروری است که DRAM ها به refresh نیاز دارند (برعکس SRAM ها) زیرا دارای جریان نشتی هستند . همچنین آدرسها در DRAM به 2 قسمت تقسیم می شود :

1-RAS (Row Access Strobe)

2-Cas (Column Access Strobe)

پارامترهای کلیدی Timing در یک DRAM :

1- : کمترین زمان از Ras Line تا یک دیتای خروجی معتبر و با ارزش که این زمان مثلاً برای یک 4Mb DRAM حدوداً 60ns است .

2-: کمترین زمان از شروع یک row Access تا شروع بعدی که این زمان برای یک 4Mbit DRAM با  تقریباً  است .

3- : کمترین زمان از CAS Line تا یک دیتای خروجی معتبر و با ارزش که این زمان برای DRAM 4Mb با  حدود  است .

4- : کمترین زمان از شروع یک Column Access تا شروع بعدی است . که این زمان هم برای یک 4Mbit DRAM با  حدود  است .

طراحی DRAM :

در شکل ها row address و Column address و RAS و CAS و data out

مشخص است کلاً Cycle time یا سرعت تکرار از زمان دسترسی یا access time بزرگتر است و این مقادیر حدود  و  هستند . این data در خازنهایی ذخیره می شوند که نشتی دارند و باید هر  refresh شوند . اما مشکلی که DRAM  دارد اینست که با افزایش تراکم و چگالی (density) پهنای باند افزایش نمی‌یابد .

Technology Trends

جدول زیر وضعیت DRAM ها از نظر Chip و سرعت و cycle Time که طی سالهای 1986-2002 مورد بررسی و مقایسه قرار گرفته اند را نشان می دهد .

قبل از اینکه در ادامه بحث به انواع DRAM ها بپردازیم 2 نوع از مهمترین آنها DDR DRAM SDRAM را توضیح می دهیم .

SDRAM : نوع بهبود یافته DRAM است که مخفف عبارت Synchronous DRAM می باشد .

در اینجا از کلاک استفاده شده است که کلاک بوسیله میکروپروسسور ها فراهم آمده است .و کلاک باعث می شود که طراحی راحتتر شود .

برای SDRAM از روشهای مختلفی می توان استفاده کرد که به 3 mode ا