دانلود تحقیق حافظه های RAM و ROM
حافظه ها را می توان بر اساس شاخص های متفاوتی تقسیم بندی کرد . Volatile و Nonvolatile نمونه ای از این تقسیم بندی ها است . حافظه های volatile بلافاصله پس از خاموش شدن سیستم اطلاعات خود را از دست می دهند. و همواره برای نگهداری اطلاعات خود به منبع تامین انرژی نیاز خواهند داشت . اغلب حافظه های RAM در این گروه قرار می گیرند. حافظه های Nonvolatile داده های خود را همچنان پس از خاموش شدن سیستم حفظ خواهند کرد. حافظه ROM نمونه ای از این نوع حافظه ها است .
حافظه RAM
حافظه (RAM(Random Access Memory شناخته ترین نوع حافظه در دنیای کامپیوتر است . روش دستیابی به این نوع از حافظه ها تصادفی است . چون می توان به هر سلول حافظه مستقیما" دستیابی پیدا کرد . در مقابل حافظه های RAM ، حافظه های(SAM(Serial Access Memory وجود دارند. حافظه های SAM اطلاعات را در مجموعه ای از سلول های حافظه ذخیره و صرفا" امکان دستیابی به آنها بصورت ترتیبی وجود خواهد داشت. ( نظیر نوار کاست ) در صورتیکه داده مورد نظر در محل جاری نباشد هر یک از سلول های حافظه به ترتیب بررسی شده تا داده مورد نظر پیدا گردد. حافظه های SAM در مواردیکه پردازش داده ها الزاما" بصورت ترتیبی خواهد بود مفید می باشند ( نظیر حافظه موجود بر روی کارت های گرافیک ). داده های ذخیره شده در حافظه RAM با هر اولویت دلخواه قابل دستیابی خواهند بود.
مبانی حافظه های RAM
حافظه RAM ، یک تراشه مدار مجتمع (IC) بوده که از میلیون ها ترانزیستور و خازن تشکیل شده است .در اغلب حافظه ها با استفاده و بکارگیری یک خازن و یک ترانزیستور می توان یک سلول را ایجاد کرد. سلول فوق قادر به نگهداری یک بیت داده خواهد بود. خازن اطلاعات مربوط به بیت را که یک و یا صفر است ، در خود نگهداری خواهد کرد.عملکرد ترانزیستور مشابه یک سوییچ بوده که امکان کنترل مدارات موجود بر روی تراشه حافظه را بمنظور خواندن مقدار ذخیره شده در خازن و یا تغییر وضعیت مربوط به آن ، فراهم می نماید.خازن مشابه یک ظرف ( سطل) بوده که قادر به نگهداری الکترون ها است . بمنظور ذخیره سازی مقدار" یک" در حافظه، ظرف فوق می بایست از الکترونها پر گردد. برای ذخیره سازی مقدار صفر، می بایست ظرف فوق خالی گردد.مسئله مهم در رابطه با خازن، نشت اطلاعات است ( وجود سوراخ در ظرف ) بدین ترتیب پس از گذشت چندین میلی ثانیه یک ظرف مملو از الکترون تخلیه می گردد. بنابراین بمنظور اینکه حافظه بصورت پویا اطلاعات خود را نگهداری نماید ، می بایست پردازنده و یا " کنترل کننده حافظه " قبل از تخلیه شدن خازن، مکلف به شارژ مجدد آن بمنظور نگهداری مقدار "یک" باشند.بدین منظور کنترل کننده حافظه اطلاعات حافظه را خوانده و مجددا" اطلاعات را بازنویسی می نماید . عملیات فوق (Refresh)، هزاران مرتبه در یک ثانیه تکرار خواهد شد.علت نامگذاری DRAM بدین دلیل است که این نوع حافظه ها مجبور به بازخوانی اطلاعات بصورت پویا خواهند بود. فرآیند تکراری " بازخوانی / بازنویسی اطلاعات" در این نوع حافظه ها باعث می شود که زمان تلف و سرعت حافظه کند گردد.
سلول های حافظه بر روی یک تراشه سیلیکون و بصورت آرائه ای مشتمل از ستون ها ( خطوط بیت ) و سطرها ( خطوط کلمات) تشکیل می گردند. نقطه تلاقی یک سطر و ستون بیانگر آدرس سلول حافظه است .
حافظه های DRAM با ارسال یک شارژ به ستون مورد نظر باعث فعال شدن ترانزیستور در هر بیت ستون، خواهند شد.در زمان نوشتن خطوط سطر شامل وضعیتی خواهند شد که خازن می بایست به آن وضغیت تبدیل گردد. در زمان خواندن Sense-amplifier ، سطح شارژ موجود در خازن را اندازه گیری می نماید. در صورتیکه سطح فوق بیش از پنجاه درصد باشد مقدار "یک" خوانده شده و در غیراینصورت مقدار "صفر" خوانده خواهد شد. مدت زمان انجام عملیات فوق بسیار کوتاه بوده و بر حسب نانوثانیه ( یک میلیاردم ثانیه ) اندازه گیری می گردد. تراشه حافظه ای که دارای سرعت 70 نانوثانیه است ، 70 نانو ثانیه طول خواهد کشید تا عملیات خواندن و بازنویسی هر سلول را انجام دهد.
سلول های حافظه در صورتیکه از روش هائی بمنظور اخذ اطلاعات موجود در سلول ها استفاده ننمایند، بتنهائی فاقد ارزش خواهند بود. بنابراین لازم است سلول های حافظه دارای یک زیرساخت کامل حمایتی از مدارات خاص دیگر باشند.مدارات فوق عملیات زیر را انجام خواهند داد :
مشخص نمودن هر سطر و ستون (انتخاب آدرس سطر و انتخاب آدرس ستون ) نگهداری وضعیت بازخوانی و باز نویسی داده ها ( شمارنده ) خواندن و برگرداندن سیگنال از یک سلول ( Sense amplifier) اعلام خبر به یک سلول که می بایست شارژ گردد و یا ضرورتی به شارژ وجود ندارد( Write enable)
سایر عملیات مربوط به "کنترل کننده حافظه" شامل مواردی نظیر :
مشخص نمودن نوع سرعت ، میزان حافظه و بررسی خطاء است . حافظه های SRAM دارای یک تکنولوژی کاملا" متفاوت می باشند. در این نوع از حافظه ها از فلیپ فلاپ برای ذخیره سازی هر بیت حافظه استفاده می گردد. یک فلیپ فلاپ برای یک سلول حافظه، از چهار تا شش ترانزیستور استفاده می کند . حافظه های SRAM نیازمند بازخوانی / بازنویسی اطلاعات نخواهند بود، بنابراین سرعت این نوع از حافظه ها بمراتب از حافظه های DRAM بیشتر است .با توجه به اینکه حافظه های SRAM از بخش های متعددی تشکیل می گردد، فضای استفاده شده آنها بر روی یک تراشه بمراتب بیشتر از یک سلول حافظه از نوع DRAM خواهد بود. در چنین مواردی میزان حافظه بر روی یک تراشه کاهش پیدا کرده و همین امر می تواند باعث افزایش قیمت این نوع از حافظه ها گردد. بنابراین حافظه های SRAM سریع و گران و حافظه های DRAM ارزان و کند می باشند . با توجه به موضوع فوق ، از حافظه های SRAM بمنظور افزایش سرعت پردازنده ( استفاده از Cache) و از حافظه های DRAM برای فضای حافظه RAM در کامپیوتر استفاده می گردد.
ما ژول های حافظه
تراشه های حافظه در کامییوترهای شخصی در آغاز از یک پیکربندی مبتنی بر Pin با نام (DIP(Dual line Package استفاده می کردند. این پیکربندی مبتنی بر پین، می توانست لحیم کاری درون حفره هائی برروی برداصلی کامپیوتر و یا اتصال به یک سوکت بوده که خود به برد اصلی لحیم شده است .همزمان با افزایش حافظه ، تعداد تراشه های مورد نیاز، فضای زیادی از برد اصلی را اشغال می کردند.از روش فوق تا زمانیکه میزان حافظه حداکثر دو مگابایت بود ، استقاده می گردید.
راه حل مشکل فوق، استقرار تراشه های حافظه بهمراه تمام عناصر و اجزای حمایتی در یک برد مدار چاپی مجزا (Printed circut Board) بود. برد فوق در ادامه با استفاده از یک نوع خاص از کانکنور ( بانک حافظه ) به برد اصلی متصل می گردید. این نوع تراشه ها اغلب از یک پیکربندی pin با نام Small Outline J-lead ) soj ) استفاده می کردند . برخی از تولیدکنندگان دیگر که تعداد آنها اندک است از پیکربندی دیگری با نام Thin Small Outline Package )tsop) استفاده می نمایند. تفاوت اساسی بین این نوع پین های جدید و پیکربندی DIP اولیه در این است که تراشه های SOJ و TSOR بصورت surface-mounted در PCB هستند. به عبارت دیگر پین ها مستقیما" به سطح برد لحیم خواهند شد . ( نه داخل حفره ها و یا سوکت ) .
شامل 60 صفحه فایل word قابل ویرایش
دانلود مقاله سیارات
دانلود مقاله سیارات
فرمت:ورد
ص:15
منظومه شمسی ما از خورشید، هشت سیاره و یک سیاره کوتوله (و ماه هایشان)، یک کمربند سیارکی و بسیاری از ستاره های دنباله دار و شهاب ها تشکیل شده است. خورشید در مرکز منظومه شمسی ماست. سیارات، ماه هایشان، سیارک ها، ستاره های دنباله دار و سنگ های دیگر همه دور خورشید می گردند. نه سیاره ای که دور خورشید می گردند به ترتیب فاصله از خورشید عبارتند از: عطارد، ناهید، زمین، مریخ، مشتری، زحل، اورانوس، نپتون و پلوتون (یک سیاره کوتوله).
بزرگ ترین سیاره منظومه شمسی ما مشتری ست. به دنبال آن زحل، اورانوس، نپتون، زمین، ناهید، مریخ، عطارد و در آخر پلوتون ریز قرار دارند. مشتری به قدری بزرگ است که همه سیارات دیگر را می توان در داخل آن جا داد.
سیارات داخلی، سیارات خارجی
سیارات داخلی (سیاراتی که نزدیک به خورشید دور آن می گردند) کاملاً از سیارات خارجی تر (سیاراتی که دور از خورشید به دور آن می گردند)، متفاوتند.
سیارات داخلی عبارتند از: عطارد، ناهید، زمین و مریخ. این سیارات نسبتاً کوچکند و بیشتر از سنگ تشکیل شده اند و تعداد کمی ماه دارند یا اصلاً ماه ندارند.
سیارات خارجی تر عبارتند از: مشتری، زحل، اورانوس، نپتون و پلوتون (یک سیاره کوتوله). آنها اکثراً بسیار بزرگ، اکثراً گازی و حلقه دار هستند و ماه های زیادی دارند (به استثنای پلوتون که کوچک و سنگی ست و تنها یک ماه بزرگ و دو ماه ریز دارد).
دانلود قولنامه انتقال ملک
موضوع: قولنامه انتقال ملک
قالب بندی: word ، قابل ویرایش
تعداد صفحات: 2
شرح مختصر:
فروشنده: .........................................................................................
خریدار: ..........................................................................................
مورد معامله: ....................................................................................
قیمت: مبلغ ................... ریال رایج که مبلغ ........................ ریال از آن طی چک شماره ........................ عهده بانک ......................... شعبه .................... از سوی خریدار به فروشنده به عنوان بیعانه تسلیم گردیده و مابقی بها را خریدار متعهد است به هنگام تنظیم و امضای سند رسمی انتقال ملک در دفترخانه نقدا به فروشنده بپردازد.
اقدام پژوهی آموزگاران ابتدایی چگونه توانستم لکنت زبان دانش آموزم را بر طرف نمایم؟
این محصول در قالب ورد و قابل ویرایش در 17 صفحه می باشد.
اقدام پژوهی حاضر شامل کلیه موارد مورد نیاز و فاکتورهای لازم در چارت مورد قبول آموزش و پرورش میباشد و توسط مدیر سایت طراحی گردیده است. این اقدام پژوهی کامل و شامل کلیه بخش های مورد نیاز در بخشنامه شیوه نامه معلم پژوهنده می باشد.
مقدمه:
نارساییهای تکلمی که منشا آن اختلالات شنوایی هستند متاثر از حداقل 3ویژگی خاص است که عبارتند از :سن وقوع نقص شنوایی میزان نوع اختلال شنوایی .اگر نوع اختلال شنوایی به میزان ضعف قبل از سن به سخن آمدن کودک باشد موجب تأخیر در صحبت کردن طبیعی میگردد ولی اگر بعد از رشد طبیعی کودک در صحبت کردن باشد ممکن است چندان تأثیری در صحبت کردن نداشته باشد. اگر وقوع اختلال شنوایی به میزان متوسط یا خیلی زیاد قبل از یادگیری زبان باشد تأثیر بسیار شدیدی بر رشد طبیعی زبان کودک میگذارد. لکنت زبان عارضهای است اکتسابی که از عادات شرطی شده پیروی میکند و یک عارضهی عضوی نیست و نباید عامل آن را در مغز لب و دهان جستجو کنیم.
توصیف وضعیت موجود:
مسئلهی مورد پژوهش من در مورد لکنت زبان و دلایلی که باعث بروز لکنت در افراد میشود بود. یکی از دلایلی که موجب بروز لکنت در افراد میشود میتواند نقش مهمترین را داشته باشد. اسمایلی بلانتون"معتقد است عوامل روانی سبب بروز لکنت زبان میشود. بدین ترتیب که ترس باعث میشود قشر مغز نتواند کنترل خود را بر اندامهای گفتاری اعمال کند ولکنت زبان میتواند ریشه در مسائل و مشکلات عاطفی داشته باشد و به صورت نشانههای فیزیکی و اختلالات زبانی تظاهر کند اغلب کفته میشود که لکنت مانند توده یخ شناوری است که قسمتی که در بالای آب قرار دارد و مردم میبینند ومیشنوند قسمت کوچکتر آن است و قسمت بزرگتر شامل شرم ترس وگناه وتمام احساساتی است که هر زمان سعی کردهاید جملهی سادهای را بیان کنید و نتوانستهاید تماما زیر سطح آب قرار دارد. اکثر الکنها سعی میکنند قسمت پایین این تودهی شناور را پنهان کنند تا خود را شخصی با گفتار عادی نشان دهند این کار فقط قسمت پایین توده را بزرگتر میکند.
فهرست مطالب
چکیده طرح: 4 هدف: 4 آزمودنی: 4 روش تحقیق: 4 یافتهها: 4 نتایج: 4 کلید واژه: 5 مقدمه: 5 توصیف وضعیت موجود: 6 گردآوری اطلاعات و شواهد1: 7 تجزیه و تحلیل دادهها: 11 اجرای راه حل: 12 انتخاب راه حل: 13 روش زبانی یا بیانی یا تلفظی: 13 روش روانی- درمانی: 13 تنشزدایی و آرامش روانی: 13 گردآوری شواهد2: 13 نتیجهگیری و تصمیم نهایی: 14 منابع : 15