فایل فلش Voyyo V1 با پردازشگر MT6582

فایل فلش Voyyo V1 

پردازشگر MT6582

قابل رایت با SP

بدون مشکل تاچ

بدون مشکل ارور WIFI STOP

در این فروشگاه کلیه فایل ها تست شده با لینک مستقیم و زیر قیمت میباشد

اما درصورت عدم نتیجه گیری، ما تا آخرین لحظه در کنار شما خواهیم بود

موفقیت فروشگاه ما اتفاقی نیست / درگاه خرید امن، خرید مطمئن

به کانال تلگرام ما بپیوندید و از تخفیف و آموزش و فایل های رایگان با خبر شوید

بهترین تبلیغ ما ، رضایت شماست

حذف اکانت FRP RESET گوشی ZTE D6 Lite 3G

حذف اکانت FRP RESET گوشی ZTE D6 Lite 3G

تست شده بر روی اندروید 5.1.1

قابل رایت با SP

بدون مشکل

کم حجم

در این فروشگاه کلیه فایل ها تست شده با لینک مستقیم و زیر قیمت میباشد

اما درصورت عدم نتیجه گیری، ما تا آخرین لحظه در کنار شما خواهیم بود

موفقیت فروشگاه ما اتفاقی نیست / درگاه خرید امن، خرید مطمئن

به کانال تلگرام ما بپیوندید و از تخفیف و آموزش و فایل های رایگان با خبر شوید

بهترین تبلیغ ما ، رضایت شماست

فایل فلش BlackBerry Z10 با پردازشگر MT6582

 فایل فلش BlackBerry Z10

پردازشگر MT6582 

قالب رایت با باکس با فرمت BIN

مناسب برای حل خاموشی

رفع مشکل سریال

با اینفو زیر

CPU: MT6582 SW:0001 Ver: CA01
  Downloading Boot8 ...
  EMMC Size: 0x00E9800000
  Flash Type: EMMC
  INT/EXT RAM  Size: 0x0+0x0
  Reading infr(EMMC)...
  id:704040
  version:10.2.1.3442
  model:BlackBerry Z10
  brand:BlackBerry
  manufacturer:BlackBerry
  PRELOADER  BaseAddr:0x0  Size:0xC00000
  MBR  BaseAddr:0xC00000  Size:0x80000
  EBR1  BaseAddr:0xC80000  Size:0x80000
  PRO_INFO  BaseAddr:0xD00000  Size:0x300000
  NVRAM  BaseAddr:0x1000000  Size:0x500000
  PROTECT_F  BaseAddr:0x1500000  Size:0xA00000
  PROTECT_S  BaseAddr:0x1F00000  Size:0xA00000
  SECCFG  BaseAddr:0x2900000  Size:0x20000
  UBOOT  BaseAddr:0x2920000  Size:0x60000
  BOOTIMG  BaseAddr:0x2980000  Size:0x1000000
  RECOVERY  BaseAddr:0x3980000  Size:0x1000000
  SEC_RO  BaseAddr:0x4980000  Size:0x600000
  MISC  BaseAddr:0x4F80000  Size:0x80000
  LOGO  BaseAddr:0x5000000  Size:0x300000
  PRIVATE  BaseAddr:0x5300000  Size:0x20000
  EXPDB  BaseAddr:0x5320000  Size:0xA00000
  ANDROID  BaseAddr:0x5D20000  Size:0x7A200000
  CACHE  BaseAddr:0x7FF20000  Size:0x7E00000
  USRDATA  BaseAddr:0x87D20000  Size:0x608E0000
BMTPOOL  BaseAddr:0xFFFF0000  Size:0x0

در این فروشگاه کلیه فایل ها تست شده با لینک مستقیم و زیر قیمت میباشد

اما درصورت عدم نتیجه گیری، ما تا آخرین لحظه در کنار شما خواهیم بود

موفقیت فروشگاه ما اتفاقی نیست / درگاه خرید امن، خرید مطمئن

به کانال تلگرام ما بپیوندید و از تخفیف و آموزش و فایل های رایگان با خبر شوید

بهترین تبلیغ ما ، رضایت شماست

فایل فلش micromax Q372 مناسب برای هنگ لوگو

فایل فلش micromax Q372

قابل رایت با SP FLASHTOOL

بدون مشکل تاچ

MT6582

در این فروشگاه کلیه فایل ها تست شده با لینک مستقیم و زیر قیمت میباشد

اما درصورت عدم نتیجه گیری، ما تا آخرین لحظه در کنار شما خواهیم بود

موفقیت فروشگاه ما اتفاقی نیست / درگاه خرید امن، خرید مطمئن

به کانال تلگرام ما بپیوندید و از تخفیف و آموزش و فایل های رایگان با خبر شوید

بهترین تبلیغ ما ، رضایت شماست

گزارش کار آزمایشگاه الکترونیک 1 فیزیک کاربردی

دانلود گزارش کار آزمایشگاه الکترونیک 1 فیزیک کاربردی 

فرمت فایل: ورد قابل ویرایش

تعداد صفحات:34

بخش هایی از متن:

مقاومت :

برای خواندن مقدار مقاومت‌های کربنی از کدهای رنگی استفاده می‌کنیم به این ترتیب که : رنگ اول و دوم را به صورت عدد و رنگ سوم را به صورت توان عدد ده در آنها ضرب می‌کنیم و رنگ چهارم بیانگر درصد خطا است.

درصد خطا (عدد چهارم) × عدد سوم10 × عدد اول و دوم = مقدار مقاومت

اگر رنگ چهارم طلایی بود 5% خطا و اگر نقره‌ای بود 10% خطا در نظر می‌گیریم و اگر رنگ چهارم نداشتیم خطا 20% است.

اگر رنگ سوم طلایی بود بین رقم اول و دوم ممیز می‌گذاریم ولی اگر رنگ سوم نقره‌ای بود، ممیز قبل از دو رقم قرار می‌گیرد.

آزمایش شماره یک : (اسیلوسکوپ)

هدف : آموزش کار با دستگاه اسیلوسکوپ و کاربرد آن در مطالعه مدارهای جریان متناوب.

الف) آشنایی با اسیلوسکوپ :

وسیله‌ای است بسیار موثر و دقیق که می‌تواند سیگنال ولتاژ را نشان دهد و نوع سیگنال را آشکار کند. به وسیلة این دستگاه می‌توانیم ولتاژ یک سیگنال و اختلاف فاز دو موج را اندازه‌گیری کنیم، و در صورتیکه مقاومت مدار مشخص باشد نیز می‌توانیم جریان مدار را حساب کنیم. ورودی آن می‌تواند یک سیگنال ولتاژ از یک قسمت مدار باشد.

اسیلوسکوپ دارای دو کانال است یعنی می‌توانیم دو سیگنال را همزمان از دو قسمت مدار به آن بدهیم و آن دو سیگنال را با هم مقایسه کنیم.

ورودی دستگاه :

مکان ورودی با نامهای CH1 و CH2 در نوار آبی رنگ مشخص شده است و مکان فیشهای ورودی در پایین‌ترین قسمت دستگاه است.

position (پیچ تنظیم) : می‌توانیم سیگنال موج را تنظیم کنیم، یعنی در راستای عمودی بالا یا پایین ببریم.

volt /Div (ولت بر قسمت) : مقیاس محور عمودی را تغییر می‌دهد. تغییر سایز سیگنال ولتاژ برای اینکه کل موج را در راستای عمودی در صفحه نمایش ببینیم.

آزمایش شماره دو : (صافیها، انتگرال‌گیر، مشتق‌گیر)

هدف : بررسی صافیها و رسم منحنی تغییرات ولتاژ خروجی نسبت به ورودی با تغییر فرکانس.

آزمایش شماره سه : (رسم منحنی مشخصه دیودها)

هدف : آشنایی با دیودها و رسم منحنی مشخصه دیودها.

مواد از نظر رسانش به سه گروه تقسیم می‌شوند:

1- رسانا : در مواد هادی باند ظرفیت و باند هدایت هم‌پوشانی دارند و الکترونها به راحتی می‌توانند از یک باند به باند دیگر بروند. (اغلب فلزات این حالت را دارند)

2- عایق : در مواد عایق باند هدایت خالی و باند ظرفیت پر است و اختلاف انرژی بین این دو باند زیاد است (از مرتبه چندین الکترون ولت به بالا است).

3- نیمه‌رسانا : در مواد نیمه‌رسانا اختلاف انرژی بین دو باند از مرتبه یک یا دو الکترون ولت بیشتر نیست و معمولاً باند ظرفیت آنها 4 الکترون دارد.

ساختار نیمه‌هادیها :

در دماهای پایین همان ساختار اتم را دارند، ولی در دماهای بالا به علت وجود انرژی حرارتی از برخی اتمها الکترون کنده می‌شود و آن اتم حالت بار مثبت را پیدا می‌کند و مایل است الکترون اتم دیگر را کنده و خود را به آرایش کامل برساند. همراه با کنده شده الکترون یک حفره به وجود می‌آید. به دلیل کنده شدن الکترون و پدید آمدن حفره همواره، حفره‌ای تولید و الکترونی کنده می‌شود و این یک پدیده آماری است.

برای بالا بردن ظرفیت نیمه‌هادیها یک ناخالصی وارد آنها می‌کنیم که باعث افزایش هدایت می‌شود یعنی تعداد الکترونها یا حفره‌ها به دلیل ورود ناخالصی بیشتر می‌شود. مثلاً در شبکه سیلیسیوم به جای یک اتم آن یک اتم فسفر 5 ظرفیتی وارد می‌کنیم که 4 الکترونش را با سیلیسیوم پیوند می‌دهد و یکی از اتمهایش باقی می‌ماند که باعث می‌شود ضریب هدایت بالا رود.

آزمایش شماره چهار : (مدارهای دیودی)

هدف : آشنایی با مدارهای دیودی برش و جهش.

مدارهای محدود کننده :

مداری که می‌تواند بخشی از یک موج ورودی را حذف و بخشی از آن را عبور دهد. دیود در این مدار همانند کلیدی است که تحت شرایطی وصل و تحت شرایطی قطع می‌شود.

برش سیگنال :

به وسیلة بعضی از مدارها می‌توانیم یک سیگنال را در سطوح خاصی قطع کنیم. ساده‌ترین مدار برش، مداری است شامل یک دیود، که می‌تواند به صورت سری یا موازی در مدار استفاده شود، و برای تغییر سطح برش می‌توانیم از یک منبع تغذیه مستقیم استفاده کنیم.

آزمایش شماره پنج : (طرح و ساخت منبع تغذیه)

هدف : یکسو کردن جریان متناوب توسط دیودها، صاف کردن خروجی و بررسی ریپل

مقدمه :

تقریباً برای تمام مدارهای الکترونیکی منبع dc مورد استفاده است. برای سیستم‌هایی که توان پایینی را نیاز دارند می‌توانیم از باطری استفاده کنیم. البته در اکثر مدارها و تجهیزات الکترونیکی از دستگاهی به نام منبع تغذیه استفاده کنیم که این دستگاه شکل موج ac (ولتاژ متناوب) را به dc (ولتاژ مستقیم) تبدیل می‌کند.

یکسو کننده :

به هر وسیلة الکتریکی که در مقابل جریان، در یک جهت مقاومت کم و در جهت دیگر مقاومت زیادی داشته باشد یکسو کننده می‌گویند. چنین وسیله‌ای قادر به تبدیل یک موج سینوسی به شکل موج تک جهت است. یکسو کننده‌ها معمولاً از یک دیود نیمه رسانا تشکیل شده‌اند زیرا در دیود عبور جریان (با توجه به منحنی مشخصه خاص دیود) از یک سو صورت می‌گیرد و از سوی دیگر مقاومت دیود مانع از عبور جریان می‌شود. در مدارهای یکسو کننده به واسطة استفاده از یک یا دو یا چهار دیود کیفیت و کمیت جریان موج خروجی تغییر خواهد کرد.

آزمایش شماره شش : (رسم منحنی‌های مشخه ترانزیستور)

هدف : آشنایی با ترانزیستور و رسم منحنی مشخصة آن و محاسبه ضرایب a و b.

ترانزیستور :

هرگاه سه نیمه هادی ناخالص را بهم وصل کنیم تشکیل یک ترانزیستور می‌دهد و بسته به اینکه از دو لایه N و یک لایة P و یا دو لایه P و یک لایه N تشکیل شده باشد به آن ترانزیستور نوع NPN یا PNP می‌گویند. سه پایة ترانزیستور را با نامهای Emitter (نشط دهنده)، Base(پایه) و Collector(جمع کننده) می‌شناسند. معمولاً در کنار یکی از پایه‌های ترانزیستور زائده‌ای وجود دارد که نشان دهندة پایة امیتر است و اگر از بالا به آن نگاه کنیم درست در خلاف جهت عقربه‌های ساعت پایه‌ها بیس و کلکتور می‌باشند. ترانزیستور وسیله‌ای است که در آن با توجه به جریان بیس میتوانیم جریان امیتر را کنترل کنیم.