مقاله کامل در مورد یون گیری واکنشی

لینک پرداخت و دانلود *پایین مطلب*
فرمت فایل:Word (قابل ویرایش و آماده پرینت)
تعداد صفحه: 98

فهرست مطالب:

مقدمه :

یون گیری واکنشی- PECVD- Ashing- پراکنده کردن مایعات- شیمی پلاسمایی- فیزیک پلاسما- عکس العمل سطوح نسبت به یکدیگر

سخنران: Herbert H.Sawin

پروفسور مهندسی شیمی و مهندسی برق و علوم کامپیوتر از مؤسسه علم و صنعت ماساچوست (MIT)، شهر کمبریج، MA

پیشنهادهای فهرست شدة سمینار:  July 8-12,2002کمبریج، ماساچوست

ارزیابی های سمینارمعرفی سمینارطرح کلی سمینارشرح حال و تحقیقات جاری هرب ساوین زمینه ها و خصوصیات خواسته شده از ثبت نام کنندگانروند کار و نوع سمیناراطلاعات برای ذخیره جا در هتلاطلاعات ثبت نام آموزش در سایتیادداشتهای نمونه سمینارمقالات اخیر ساوینتماس ها برای سوالاتثبت نام در وب سایتاطلاعات ناحیة بوستونسوابق آقای ساوین

1-معرفی

فیزیک پلاسمافرآیند ریزالکترونیک

2-سیفتیک گازی (Gas Kinetics)

مدل سیفتیک گازیمدل توزیع ماکسول- بولتزمنمدل گازی ساده شدهمحتوای انرژینرخ برخورد بین مولکولهامسیر آزادسیالیت عددی ذرات گاز روی یک سطحفشار گازیخواص انتقالجریان گازوضعیت سیالرسانایی رساناهااحتمال برخوردپراکندگی گاز- گارپراکندگی ذره از یک آرایش ثابتانتشار ارتجاعیبرخورد غیر ارتجاعینمونه های فرآیندهای برخورد غیر ارتجاعیعکس العمل های فاز- گازی

3-فیزیک پلاسما

توزیع انرژی الکترونیسینتیک همگونی پلاسمامدل توزیع (مارجینوا)مدل توزیع (دروی وشتاین)انتقال ذره باردار شده و باردار شدن فضاییسینتیک گاز رقیق شدهشکافت انتشار دو قطبیتجمع غلافسینتیک سادة غلافحفاظت یا پوشش «دیبای»تجمع غلاف و آزمایش بوهم (Bohm)آزمایش غلاف بوهمخصوصیات میلة آزمایششکست و نگهداری، تخلیة rfتقریب میدان مشابهتقریب میدان غیرمشابهمدل سازی ئیدرودینامیک خودساختة تخلیة rfاندازه گیری تخریب rfمدل توازن الکترونیکیمقایسة تخریب rf اندازه گیری شده و محاسبه شدهارائه مدل به سبک مونت کارلوی تخلیة rfخود با یا سنیگ rf (تجمع خودبخودی rf)سیستم همگن (متقارن)توزیع ولتاژ در سیستم rfتوزیع ولتاژ در پلاسمای خازنی rf متقارن و غیر متقارنمدار معادل تخلیة rfتنظیم الکترودهاسینتیک بمباران یونیتخلیة اپتیکیلم اندازه گیری حرکتریزنگاری تخلیة اپتیکیفرآیند برخورد الکترونبرخورد الکترونی اکسیژن در پلاسما

4-تخلیه های مدار مستقیم (DC)

امیژن ثانویه الکترون در بمباران یونیبمباران خنثی امیژن ثانویهعمل فتوامیژن الکترونهای ثانویناحیة کاتدییونیزاسیون در غلافتوزیع انرژی یونهاالکترونهای اشعه ای (الکترونهای سریع)ناحیة آندمدل سازی پلاسمایی DC

5-تخلیه های Rf

فیزیک پلاسمای rf خازنیفیزیک تخلیه RF که بصورت القایی فردوج شده اند.فیزیک تخلیه رزونانس الکترون- سیلکوترونفیزیک تخلیة هلیکون

پیکره بندی و سخت افزار رآکتور

همگن کردن شبکه ها و تنظیم کننده هاشبکه های الکترونیکی همسان ساده شدهتنظیم کننده های موج کوتاهرآکتورهای لوله ایرآکتورهای صفحه موازی (دیودی)رآکتورهای صفحه موازی نامتقارنگیرندگان یون واکنشیگیرندگان واکنشی یون که بطور مغناطیسی افزایش یا رشد یافته اند.گیرندگان اشعه یون واکنشیبایاسینگ جریان مستقیم در گیرندگان نمادینگیرندگان دیودی ارتجاعیرآکتورهای تریودیبایاسینگ Rfمحدود کردن مغناطیسی چند قطبیمنابع پلاسمای غیر قابل دسترسیECR توزیع شدهمنابع در حال جریان نزولیماگنترولهامونتاژ کردن لایه لایه ایتبرید برگشتی هلیوممحکم کاری الکترواستاتیک جستجوی نقطة نهاییتجزیه و تحلیل تخلیة اپتیکیثبت حرکات تداخلیثبت لیزری امواج یا حرکات تداخلیمونیتورینگ یا مشاهده امپدانسیفاز گازیتولید اتم اکسیژنبارگزاری رآکتورهاواکنشهای سطحیشیمی لایه هایی که خود بخود واکنش دارند.ارتقاء پلمیریسینتیک مواد نشتی یا رطوبت دهالکترون گیری شیمیایی فزاینده یونیاتمهایی که با گرفتن یون ارتقاء پیدا می کنند مثل Cl و Cl+پراکندگی و جایگزی حاصل الکترون گیری مثل مدلهای سینتیک الکترون گیری پلی سیلیکونالکترونگیری پلی سیلیکون مرتب شدهالکترون گیری اکسید که توسط یون زیاد شدهالکترون گیری ضد نور که توسط یون زیاد شدهمقایسه مواد شیمیایی ارتقاء یافته با یون و بستهای الکترون گیری خود بخود شیمیایی.توده نگاری میکروسکوپیمیلة آزمایش لانگ میرفلورسنت القایی با لیزرتحلیل امپدانس پلاسماییثبت تداخل با لایه های کاملاً چسبیده

طیف نگاری تخلیه اپتیکی

8-الکترون گیری جلوه ها

ده مبارزه برتر الکترون گیریمکانیزمهای گسترش مقطعیجهت دار شدن بمباران یونی از پلاسماپراکندگی یونی در جوله های خاصتغییر سطوح در جلوه های ویژهالکترون دهی و الکترون گیری با پراکندگیاتم گیری با القاء یونیاتم گیری خودبخودجابجایی نمونه ها و فعال ها از پلاسماجابجایی مجدد بوسیلة خط دید تولیداتشکستجاذبة بالقوة تصویر با دیواره های هدایت پذیر (رسانا)نسبت منظری الکترون گیری وابستهتجمع نامتقارن در الکترون گیری پلی سیلیکونی و فلزات

9-مدل سازی سه بعدی از عوارض زمین و عوارض جغرافیایی

مدل سازی سطحی ساده شدهخصوصیات شبیه ساز مونت کارلومصرف جذب شدن در سطوح عمل متقابل به هم در سطوحپراکندگی یکنواخت و غیریکنوختانتشار فیزیکی و الکترون گیری با یون فزایندهپراکندگی از قسمت سطح منبعارتقاء کیفیت سطحیمقایسة نتایج آزمایشی و مدل سازیتجمع شکافتهای میکروسکوپی به وسیلة پراکندگی یونهاپراکندگی یونیجهت دار شدن یونیزاویة ماسکترکیب مجدد سطحیجابجایی از پلاسماتأثیر تغییر مکان بر وضع ظاهریخشن کردن سطوح در حین اتم گیری

10-تخریب پلاسما

آلودگیخصوصیات منحصر به فردتخریب دروازه با اکسید شدن- ذرات پوزتخریب دروازه با اکسید شدن- فشار الکتریکیتخریب چهارچوبها و قابهاخوردگی بعد از اتم گیری

11-فرآیندهای اتم گیری

الکترون گیری و الکترون دهی اعضاپلی سیلیکونالکترون گیری دروازه ایالکترون گیری اکسیدیالکترون گیری نیتریدیالکترون گیری دی الکتریک با K پائینالکترون گیری آلومینیومالکترون گیری مس

12-جابجایی

انتشارجرقه ها، قوس های الکتریکی، بی ثباتی هاجابجایی انتشار بایاستنظیم با خط صحیح دیدمنابع رطوبت ده با غلظت بالاترکیب و آلیاژ جابجایی انتشاری عکس العملیمقدمه چینی برای هدفجابجایی بخار متصاعد شیمیایی پلاسماوسایل و تجهیزات مربوط به VDتمیز کردن اطاقک واکنشعملیات آزمایشی PECVD و ماهیتنیترید سیلیکوندی اکسید سیلیکونآکسی فلورید یدهای سیلیکوناکسیدهای سیلیکون و کربنلایه های پرفلور و کربن

13-پردازش کار با پلاسما در سطو بزرگ

جدای یک منبع با فاصله از یک لایه زیریناستفاده از منابع پلاسمای با فاصله و آرایش یافتهمقیاس گذاری منابع پلاسمامنابع پلاسمای خطیمنابع جاری پلاسما

14-رآکتورهای لایه لایة ستونی ماکروویو که در فشارهای بالا عمل می کنند

وسایل عمل آزمایشیآزمایشاتمشخص کردن خصوصیات فرآورده های بعدیمکانیزم پیش بینی شده برای کاهش استفاده از واحد کاهنده در تأسیسات ساختن (تولید) مدار جامع (IC)کاهش PFCهای دیگرجمع بندیکاهش پیودهای اندوکسیونی با پلاسماسابقهخلاصة نتایجنمرة تحقیقات و نتایجمحاسبات سینیک شیمیاییرآکتورهای کاهنده تجارتیرآکتورهای کاهنده تجارتی موج سطحی

15-فرآیند پلاسمای غیر میکروالکترونیک

استرلیزه کردن با پلاسماصفحة مدار چاپی از نوع دوتایی که با چسب به هم متصل می شوندمراحل پردازش میکرومکانیکیالکترون گیری عمیق چندگانه ای زمانیالکترون گیری Si در سیستم STSنسبت الکترون گیرینسبت منظری پیامد الکترون گیری RIE وابستهنسبت الکترون گیری ضد نورمتحدالشکل بودنعوامل تقویت کننده

16-ضمیمه

17-مرجع ها

معرفی سمینار (همایش)

تقریباً 40% از مراحل ساخت و تکمیل در صنعت میکروالکترونیک از فرایندهای پلاسما استفاده می کنند. کاربردها در میکرومکانیک، صفحه نمایش های تخت، تغییر سطوح (تصحیح سطوح)، تمیز کردن، استرلیزه کردن ایجاد پوشش(لایه) با پاشیدن مایع، و قسمتهای متنوع و بیشمار دیگر به سرعت در حال رشد و توسعه زیاد بر مبنای توسعة تکنولوژیکی هستند که برای فرآیندهای میکروالکترونیک (پردازش میکرو الکترونیکی) ساخته می شوند. درک اساسی (مبنای) پردازش (فرآیند) پلاسما(یی) اکنون همین قدر کافیست که مدل ها و نمونه های پلاسمایی بسان (در شکل) ابزارهایی برای فرایندها و روش تولید پلاسمای و ابزار پلاسمایی، ساخته و پرداخته می شوند و جلوه می کنند، همچنانکه مشکلات فرآیند رفع عیب از روی علت، خودنمایی می کنند. در کل رفع اشکالات (عیب یابی) پلاسما اکنون ابزاری شده همانگونه که نشان دهنده های فرآیند ابزارهای عیب یابی و تجسس (بازرسی) و کنترل کننده های فرایند (مراحل انجام کار)، در نقش توسعة قابلیت اعتماد و انعطاف پذیری مراحل انجام کار.

بازنگری ها و مرور سمینار معطوف است به اساس و اصول فیزیک پلاسما که مورد نیاز است برای درک و فهمیدن فرایندهای پلاسما برای استفاده در ساخت و پرداخت و تولید میکروالکترونیک. ارائه مدل هم به سبک فیزیک پلاسما و هم شیمی پلاسما مورد بحث قرار خواهد گرفت. ساختار (ساختمان) که از این مفهوم نشأت می گیرد، پیکره بندی و ساختارهای رآکتور پلاسمایی برتر، برای بدست آوردن (ساختن) یک درک و فهم ثابت و استوار از این مقوله، مورد بحث قرار خواهد گرفت. سپس همین مفاهیم رآکتور در کل و به طور عمومی برای پردازش پلاسمایی مورد استفاده قرار خواهند گرفت. موارد کاربردی مثل پردازش (فرایند) نمایش صفحه ای، استرلیزه کردن، پاک کردن، لایه گذاری یا پوشش دادن با پاشیدن مایع، تصحیح و تغییر سطح پلی مری و انبار کردن، مورد بحث واقع خواهند شد. این سمینار مشابة آن چیزی است که آقای Herb Sawin در دانشگاه MIT در 20 سال گذشته تدریس و معرفی کرده است. این مطلب در طول 16 سال گذشته تا کنون به مهندسین صنعتی در قالب یک برنامة تابستانی یک هفته ای در MIT معرفی و پیشنهاد می شده و در بسیاری از شرکتها هم اکنون روی خط ارتباطی خود، آن را دارند.

دانلود فایل فلش فارسی تبلت لنوو Lenovo A3300T با لینک مستقیم

موضوع :

دانلود فایل فلش فارسی تبلت لنوو Lenovo A3300T با لینک مستقیم 

 تست شده و بدون اشکال

 نحوه ی فلش : رایت با SP FLASH TOOL

این رام زبان فارسی را پشتیبانی می کند

میتوانید فایل فلش این مدل گوشی را از طریق لینک مستقیم دانلود نمایید

با تشکر گروه آدا فایل

دانلود کتاب آموزش برنامه نویسی اندروید

آموزش برنامه نویسی اندروید

مقاله اطلاعات خام Data

دانلود مقاله اطلاعات خام Data در 29 ص با فرمت WORD 

یکپارچه سازی فن آوریهای سرویس دهندة کاربرد شبکه و سرویس دهندة پایگاه دادة چندگانه افزایش محبوبیت تجارت الکترونیکی بسیاری از شرکت ها را به رجعت به سرویس دهنده های کاربردی برای بکارگیری و مدیریت برنامه های کاربردی شبکه شان بطور مؤثر، متوجه نموده است. این سرویس دهنده های کاربردی برای ارتباط با یک سیستم مدیریت پایگاه داده (DBMS) برای ذخیره و بازیابی اطلاعات ترکیب بندی می کنند. این امر اغلب به این معنی است که برنامه های کاربردی شبکه باید با محیط های «قانونی» کار نماید. در نتیجه، توسعه دهندگان برنامه های کاربردی شبکه متوجه شده اند که کنترلی بر محصول DBMS مورد استفاده برای پشتیبانی برنامه های کاربردی شان ندارند یا نمی توانند پایگاه مورد طراحی را کنترل نمایند. در بعضی موارد، توسعه دهندگان ممکن است متوجه شوند که اطلاعات بحرانی برای برنامه کاربردی آنها در DBMS های چندگانة توسعه یافته توسط فروشندگان نرم افزار متفاوت منتشر می شود. مشکلاتی که توسعه دهندگان برنامه کاربردی تجارت الکترونیکی با آن مواجه هستند:

دانلود مقاله نانوتکنولوژی

مشخصات این فایل
عنوان: نانوتکنولوژی (آشنائی با فناوری معجزه گر آینده جهان- نانو تکنولوژی- به زبان ساده)
فرمت فایل : word( قابل ویرایش)
تعداد صفحات: 8

این مقاله درمورد نانوتکنولوژی می باشد.

بخشی از تیترها به همراه مختصری از توضیحات هر تیتر از مقاله نانوتکنولوژی

سه فناوری تسخیرکننده
از طرفی شاید بتوان گفت تسخیرکنندگان علم و فناوری آینده در سه گروه فناوری اطلاعات، نانوفناوری و زیست فناوری خلاصه می شوند.
قرارگیری مقادیر و حجم زیادی از اطلاعات در فضائی کوچک از ابعاد هم گرائی نانوفناوری و فناوری اطلاعات می باشد از طرفی در زیست فناوری و یا به عبارتی برای زیست شناسان قرار گیری حجم زیادی از اطلاعات در یک فضای بسیار کوچک موضوعی بسیار آشنا می باشد .....(ادامه دارد)

ابزارهای جدید برای کارهای ظریف
اگر شما از دانشمندان علوم سطح بپرسید که چه پیشرفتهای عمده دستگاهی باعث شده‌اند تا نانوتکنولوژی در خطوط مقدم تحقیقات علوم فیزیکی قرار گیرد، تقریبا" همه آنها به داستان میکروسکوپ پروب اسکن‌کننده SPM (Scanning probe microscope SPM: در SPM یک پروب نانوسکوپی در ارتفاع ثابتی بر بالای بستری از اتم‌ها حفظ می‌شود. این فاصله می‌تواند آن‌قدر کم باشد که الکترون‌های اتم‌های تیرک و سطح با هم تعامل داشته باشند. این تعاملات می‌تواند آن‌قدر قوی باشد، که اتم‌ها از جا کنده شده و به جای دیگری بروند.)
اشاره می‌کنند. علیرغم تازه واردگی به عرصه تحلیل دستگاهی، استفاده از میکروسکوپی تونل‌زنی اسکن‌کننده STM (Scanning tunneling microscope STM : وسیله‌ای برای تهیه تصویر از اتمهای روی سطوح مواد، که نقش مهمی در درک توپوگرافی و خواص الکتریکی مواد و رفتار قطعات میکروالکترونیکی دارند. STM بر خلاف یک میکروسکوپ نوری، برای تهیه تصویر نیروهای الکتریکی را با یک پروب نازک‌شده به حد تیزی یک اتم .....(ادامه دارد)

نانو ساختار کردن فولاد و فلزات معمولی
پژوهشگران دانشگاه هوایی یوفا (Ufa State Aviation Technical University ) در روسیه، موفق به ابداع تکنیکی برای تغییر ساختار فلزات و آلیاژهای معمولی به موادی با ساختار نانو و خواص برتر شدند.
پرفسور ولادمیر استلاریف (Stolyarov)، پژوهشگر این دانشگاه، ‌از محققان این طرح در باره تکنیک ابداعی محققان گروه تحقیقاتی این دانشگاه که به «تغییر شکل پلاستیک شدید» موسوم است در باره طراح می گوید: با استفاده از روش تغییر شکل پلاستیک شدید که برای اولین بار در دنیا ارائه شده، این امکان فراهم شده است که بتوان ساختار مواد و آلیاژهای عادی را با عبور از درون یک قالب تحت فشارهای بالا به حالت نانو تبدیل کرد. .....(ادامه دارد)

(نانو تکنولوژی) تبدیل نفت خام و نفت سنگین به نفت سبک
شاید زمانی که از (نانو تکنولوژی) به عنوان یک تکنولوژی نوین نام برده می شد که می تواند راه حل های جدیدی برای مسائل علوم مختلف ارائه نماید، نمی توانستیم به روشنی این مفهوم را درک نماییم. اکثرآ افراد جامعه (نانو تکنولوژی) را ساختن اشیاء در ابعاد کوچکتر می دانستند اما اکنون بعد از گذشت چند سال مفهوم نانو برای افراد ملموس تر خواهد بود. اینکه می توانیم توسط تکنولوژی نانو بسیاری از مشکلات روزمره بشر را حل کنیم.
امروز باعث افتخار من است که بالاخره سرمایه گذاری ایران در نانو تکنولوژی و پیشگامی دولت ایران در حمایت از دوستداران پیشرفت و اندیشمندان ایران زمین نتیجه داد و محققان ایرانی توانستند گامی بزرگ را در صنایع نفت بردارند.
مهندس سید جواد احمد پناه مدیر پروژه هیدروکانورژن های پژوهشگاه صنعت نفت توانست «فرآیند صنعتی هیدروکانورژن» را بصورت بین المللی به ثبت برساند. توسط این فرآیند می توان نفت خام و ته مانده های نفت سنگین را به نفت سبک تبدیل نمود. به بیان ساده تر اینک با هزینه 2 دلار در هر بشکه می توان یک بشکه .....(ادامه دارد)

. فرآیند های عمل آوری
تنظیم و اختلاط
همانطور که می بینید تجزیه یکی از قسمت های فرآیند های تبدیلی است. هیدروکراکینگ، شکست کاتالیستی و شکست گرمایی کارهایی هستند که در مرحله تجزیه صورت می پذیرند.
هیدروکراکینگ یک فرآیند دو مرحله‌ای شامل کراکینگ کاتالیستی و هیدروژنا‌سیون می‌باشد که در طی این مراحل خوراک ورودی، در حضور هیدروژن به محصولات با ارزش افزودة بیشتر شکسته می‌شود. این فرایند در فشار و دمای بالا و با حضور کاتالیست و هیدروژن انجام می‌شود.
هیدروکراکینگ برای خوراک‌هایی مورد استفاده واقع می‌شود که فرایندهای کراکینگ کاتالیستی یا تبدیل کاتالیستی در مورد آن‌ها به سختی انجام می‌گیرد مانند نفت خامی که غنی از آروماتیک‌های پلی‌سیکلیک بوده یا حاوی غلظت‌های بالای ترکیبات گوگرد و نیتروژن که مسموم‌کننده کاتالیست‌ها هستند، میباشد. .....(ادامه دارد)

استفاده از نانوتکنولوژی، در درمان بیماری‌های قلبی ـ عروقی
مطالعات آزمایشگاهی نشان می‌دهد، استفاده از فناوری نانو، می‌تواند در درمان بیماری‌های قلبی ـ عروقی موثر باشد.
به گزارش سرویس علمی پژوهشی ایسکانیوز، به نقل از biomacromolecules، دانشمندان دانشگاه Rutgers اعلام کردند، استفاده از نوعی مولکول‌های مهندسی شده در مقیاس نانو، موسوم به مسدود کننده‌های چربی نانو، می‌تواند در درمان بیماران مبتلا به کلسترول، موثر باشد. .....(ادامه دارد)